高性能硅基辐射探测器芯片及核心部件产业化基地项目（一期）位于山亭经济开发区青屏路南、西二环东，项目用地34859m2（52.28亩），计划总投资4.2亿元，该项目新建一栋六层综合研发办公楼，建筑面积12520.8㎡；2座三层高标准钢结构厂房建筑面积40220.46㎡，建筑面积共计52941.26㎡；装修建设百级实验室、千级实验室、万级实验室 、会议室、展厅、仓库、学术报告厅、锅炉房、特殊气体存储站及封装实验室、园区内道路、供水管网、排水管网、燃气管网、供电管网、热力管网等配套设施。该项目竣工信息情况为：

高性能硅基辐射探测器芯片及核心部件产业化基地项目（一期）项目B厂房已移交入驻企业使用，A厂房建设完成，综合研发楼正在装修中。预计2022年6月在建工程具备竣工条件。